深圳市金城微零件有限公司

场效应管 2SK3337-01 K3337

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:2SK3337-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，1000V，7A，2Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:7A 开启电压:3.5 极间电容:2220

场效应管 BUZ110SL,BUZ100SL

品牌/商标:SIE德国西门子AG 型号/规格:BUZ102SL 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:20A 低频噪声系数:- 极间电容:700

场效应管 SI4894BDY

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:SI4894BDY,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,8.9A,0.011Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 BSC057N03LSG,057N03LS

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSC057N03LSG,PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,71A,0.0057Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:S/开关 材料:N-FET硅N沟道

供应场效应管 AP9565GEH

品牌/商标:AP/富鼎 型号/规格:AP9565GEH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 SUD40N10-25 ATP405

品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:SUD40N10-25,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,40A,0.025Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 SSM3K15FV,DP

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:SSM3K15FV 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 SSM6J206FE,KR

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:SSM6J206FE 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道

场效应管 SSM4K27CT,SA

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:SSM4K27CT 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 IPA057N08 IPA100N08

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPA057N08N3G,MOS,80V,60A IPA100N08N3G,MOS,80V,40A, 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:60A , 40A 开启电压:3.5 夹断电压:20

P 场效应管 RSY160P05 160P05

品牌/商标:ROHM/罗姆 型号/规格:RSY160P05，TCPT3，ROHM，SMD/MOS，N场，-45V，-16A，0.05Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:MES金属半导体 类型:其他IC 漏极电流:-16A 开启电压:-2.5 夹断电压:20 极间电容:2150 耗散功率:20W

场效应管 AOTF404,TF404

品牌/商标:AOS/美国万代 型号/规格:AOTF404,TO-220F,DIP/MOS,N场,105V,26A,0.028Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:S/开关 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 TPC8032-H,TPC8A02-H

品牌/商标:Toshiba/东芝 型号/规格:TPC8032-H,MOS,30V,15A TPC8A02-H,MOS,30V,16A,0.0056 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:15A/16A 夹断电压:±20 极间电容:2846/1970

场效应管 TPC8018-H,TPC8020-H

品牌/商标:Toshiba/东芝 型号/规格:TPC8018-H,MOS,30V,18A,0.0046Ω TPC8020-H,MOS,30V,13 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:18A/13A 夹断电压:±20 极间电容:2265/1395

供应场效应管 TPCA8025,TPCA8026

品牌/商标:Toshiba/东芝 型号/规格:TPCA8025 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 STU7NA80 STU8NA80

品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STU7NA80 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 Si3433CDV-T1-GE3

品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:Si3433CDV-T1-GE3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道

场效应管 AOT12N65,T12N65

品牌/商标:AOS/美国万代 型号/规格:AOT12N65 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:S/开关 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 SSM6K204FE,KN

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

TK8A50D K8A50D

品牌/商标:Toshiba/东芝 型号/规格:TK8A50D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:7.5A 开启电压:4.4 极间电容:700