深圳市金城微零件有限公司

三极管 2SD1760,D1760,2SD1864,D1864

应用范围:开关 品牌/商标:ROHM/罗姆 型号/规格:2SD1760R/2SD1864,252/251,ROHM,NPN三极管,60V.3A 材料:硅(Si) 封装形式:SOT-252,TO-251

PNP三极管 MJD210TM,MJD210TF

应用范围:开关 品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:MJD210TM,252,PNP,-40V,-5A 材料:硅(Si) 封装形式:SOT-252,TO-251

三极管 2SC3148,C3148

应用范围:开关 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SC3148,TO-220,TOSHIBA,DIP/三极管,800V.3A 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220 类型:其他IC

三极管 2SD2257 2SD2604 2SD2204

应用范围:达林顿 品牌/商标:Toshiba/东芝 型号/规格:2SD2204 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220F

三极管 2SD1817,D1817,2SD1223,D1223

应用范围:达林顿 品牌/商标:Sanyo/三洋 型号/规格:2SD181 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:15W 集电极允许电流ICM:3A

达林顿管 2SB1481

应用范围:达林顿 品牌/商标:Toshiba/东芝 型号/规格:2SB1481 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220F

三极管 2SD2352 2SC4935 2SC4881

封装形式:直插型 型号/规格:2SC4881 材料:硅(Si) 品牌/商标:Toshiba/东芝 应用范围:功率

三极管 2SD1804,D1804,2SD1817,D1817

应用范围:功率 品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SD1804T-TL/2SD1817-S34/2SD1817S-34,251/252,SANYO, 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:20 集电极允许电流ICM:8 截止频率fT:130 沟道类型:其他

三极管 2SA2039,A2039,2SA1201,A1201

应用范围:功率 品牌/商标:Sanyo/三洋 型号/规格:2SA2039-G-E/2SA2039-T-TL,2SA2039S/A1214,252/251,SA 材料:硅(SI),硅(SI) 封装形式:直插型 集电极耗散功率PCM:- 集电极允许电流ICM:5 截止频率fT:400

达林顿 2SB1481,B1481

应用范围:功率 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SB1481 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220F

三极管 2SC4686A 2SC5353

应用范围:功率 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SC4686A 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220F

场效应管 BSC150N03LDG,BSC150N03

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSC150N03LDG 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 BSZ088N03LSG,BSZ088N03

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSZ088N03LSG 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 SUP40N10-35 FDP3672

品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:SUP40N10-35 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

三极管,FJPF5027-OTU,J5027-O,FJPF5027

是否提供加工定制:否 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FJPF5027-OTU 07NPB TO-220F 3A NPN 应用范围:开关 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:-（V） 集电极允许电流ICM:3（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:15（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应MJD44E3T4G,J44E3G,MJD44

是否提供加工定制:否 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MJD44H11,SOT-252,ON,SMD/三极管,80V.8A 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:80（V） 集电极允许电流ICM:8（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

达林顿MJD112T4G,J112G,MJD112

是否提供加工定制:否 品牌/商标:MOTOROLA/摩托罗拉 型号/规格:MJD112,SOT-252,SMD/达林顿,MOT 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:-（V） 集电极允许电流ICM:2（A） 集电极耗散功率PCM:20（W） 截止频率fT:25（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

N 达林顿,C1093,2SC1093,KSP12

是否提供加工定制:否 品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:C1093,TO-92,NEC,DIP/达林顿,. 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:-（V） 集电极允许电流ICM:-（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应KSH122TM,KSH122,HJ122

是否提供加工定制:否 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:KSH122 FAIRCHILD 06+ SOT-252 以优势说话 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:-（V） 集电极允许电流ICM:5（A） 集电极耗散功率PCM:20（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

BCP51,BSP60,BCP52,FZT790

是否提供加工定制:否 品牌/商标:PHILIPS/飞利浦 型号/规格:BCP52,SOT-223,PHILIPS,SMD/三极管,-60V.-1A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCBO:-60（V） 集电极允许电流ICM:-1（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装