深圳市金城微零件有限公司

三极管 2SD2352 2SC4935 2SC4881

封装形式:直插型 型号/规格:2SC4881 材料:硅(Si) 品牌/商标:Toshiba/东芝 应用范围:功率

三极管 2SD1804,D1804,2SD1817,D1817

应用范围:功率 品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SD1804T-TL/2SD1817-S34/2SD1817S-34,251/252,SANYO, 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:20 集电极允许电流ICM:8 截止频率fT:130 沟道类型:其他

三极管 2SA2039,A2039,2SA1201,A1201

应用范围:功率 品牌/商标:Sanyo/三洋 型号/规格:2SA2039-G-E/2SA2039-T-TL,2SA2039S/A1214,252/251,SA 材料:硅(SI),硅(SI) 封装形式:直插型 集电极耗散功率PCM:- 集电极允许电流ICM:5 截止频率fT:400

达林顿 2SB1481,B1481

应用范围:功率 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SB1481 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220F

三极管 2SC4686A 2SC5353

应用范围:功率 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SC4686A 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220F

BCP51,BSP60,BCP52,FZT790

是否提供加工定制:否 品牌/商标:PHILIPS/飞利浦 型号/规格:BCP52,SOT-223,PHILIPS,SMD/三极管,-60V.-1A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCBO:-60（V） 集电极允许电流ICM:-1（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

供应MJD31C,MJD41C,J31C,J41C

是否提供加工定制:否 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MJD31C/MJD41C,SOT-252,ON,SMD/三极管,40V.3A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:40（V） 集电极允许电流ICM:3（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

MJD3055T4G,J3055G,MJD3055

加工定制:否 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MJD3055,SOT-252,ON,SMD/三极管,60V.10A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:10（A） 集电极耗散功率PCM:20（W） 截止频率fT:2（MHz） 结构:点接触型 封装形式:SOT-252 封装材料:塑料封装 击穿电压VCBO:60

HSD1609,D1609,KSD1691 -Y

是否提供加工定制:否 品牌/商标:HJ/华昕 型号/规格:HSD1609,TO-126F,HJ/华昕,DIP/三极管,160V.0.1A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:160V.0.1A（V） 集电极允许电流ICM:0.1（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:140（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

2SC2688,2SC2611,2SC2258

加工定制:否 品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SC2688,2SC2611,2SC2258 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCEO:-（V） 集电极允许电流ICM:0.2（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:80（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 击穿电压VCBO:-

NPN 三极管 D1801,D1803,D1805

加工定制:否 品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SD1803T-TL/2SD1801,2SD1805,SOT-252,SANYO,SMD/三极管,60V.5A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:5（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

400V 三极管 KSE13009L,13009

是否提供加工定制:否 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:KSE13009L,TO-3P,FAIRCHILD,DIP/三极管,400V.12A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCEO:400（V） 集电极允许电流ICM:12（A） 集电极耗散功率PCM:130（W） 截止频率fT:4（MHz） 结构:平面型 封装形式:TO-3P 封装材料:塑料封装

三极管 FZT792 A,FZT955,BCP53

是否提供加工定制:否 品牌/商标:Zetex/捷特科 型号/规格:FZT792A,FZT955,BCP53,SOT-223,ZETEX,三极管 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCBO:-（V） 集电极允许电流ICM:-（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

三极管 2SD1683,2SD1683T,D1683

是否提供加工定制:否 品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SD1683,TO-126F,SANYO,SMD/三极管,60V.4A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCEO:60（V） 集电极允许电流ICM:4（A） 集电极耗散功率PCM:10（W） 截止频率fT:150（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:树脂封装

三极管 2SD1804,D1804,2SD1817

加工定制:否 品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SD1804T-TL/2SD1817-S34/2SD1817S-34,251/252,SANYO,NPN三极管,60V.8A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:8（A） 集电极耗散功率PCM:20（W） 截止频率fT:130（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

三极管 BD139F,BD139,BD241A,BD238

是否提供加工定制:否 品牌/商标:PHILIPS/飞利浦 型号/规格:BD139F,TO-126F,PHILIPS,DIP/三极管,80V.1A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCEO:80（V） 集电极允许电流ICM:1（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

三极管 FZT788B,FZT788,FZT717

加工定制:否 品牌/商标:Zetex/捷特科 型号/规格:FZT788B/FZT717,SOT-223,ZETEX,SMD/三极管,-15V.3A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 集电极允许电流ICM:-3（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 击穿电压VCBO:-15

三极管 2SC2553,C2553,KSC5039

加工定制:否 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SC2553,TO-220,TOSHIBA,DIP/三极管,400V.5A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:5（A） 集电极耗散功率PCM:-（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

三极管 2SC3072,2SC5076,C3072

加工定制:否 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SC3072S-Y/2SC3072-Y/2SC5076-G-E,252/251,TOSHIBA,NPN三极管,50V.5A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:5（A） 集电极耗散功率PCM:10（W） 截止频率fT:100（MHz） 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

三极管 2SC5707,C5706,C5707

加工定制:否 品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SC5706-G-E/2SC5706-G-TL-E/2SC5706-TL-E/2SC5707-5L/2SC5707T-34,251/252,NPN,50V. 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:5（A） 集电极耗散功率PCM:15（W） 截止频率fT:400（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装